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biRAPID
SiCインバータ実験セット
HEK-INV-A

すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット
多数の回路構成・動作条件で実験

SiC三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100Vを投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。
ROHM製SiC-MOSFETを6個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVAでの動作が可能です。24Vの制御電源とサンプルソフトが付属します。

すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット

電源・負荷への配線のみですぐに実験が可能

多数の回路構成・動作条件で実験

サンプルソフトでチョッパやインバータ動作に切替可能
操作ボードでスイッチング周波数・変調率等を変更

ソフトウェア開発も

HSDT-KIT-B（パワーエレクトロニクス開発用キット）併用でソフトウェア開発も可能

HEK-INV-A仕様

直流側電圧範囲	0V〜400V	P-N端子間電圧
交流側最大電流	30Arms	U、V、W端子電流
最大スイッチング周波数	200kHz	ロータリースイッチによって選択可能
最小デッドタイム	200ns	ロータリースイッチによって選択可能
操作スイッチ	トグルスイッチ8個 / ロータリースイッチ1個
表示用LED	黄: 8個 / 赤: 4個 / 緑: 5個
制御方式	チョッパ出力 / 単相交流出力 / 三相交流出力	スイッチにより制御方式が選択可能
保護機能	交流過電流保護 / 直流過電圧保護	保護閾値は基板上の可変抵抗で調整可能
制御電源	AC100V
装置サイズ	W: 215mm / D: 125mm / H: 130mm	三相インバータにコントローラと操作ボードを重ねて配置

動作条件設定項目

運転/停止	ゲート出力 / ゲート停止
回路構成	チョッパ動作 / インバータ動作単相出力 / 三相出力	チョッパ動作時はU相のみ使用単相出力時はU相とV相を使用
変調方式	ユニポーラ変調 / バイポーラ変調三角波キャリア比較変調 / 空間ベクトル変調	単相出力時三相出力時
スイッチング周波数設定	10kHz〜200kHz	ロータリースイッチにて切り替え可能
デッドタイム設定	200ns〜600ns	ロータリースイッチにて切り替え可能
変調率設定	0〜1
インバータ基本波周波数	50Hz〜500Hz